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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      900

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      1100

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      5

      通道（dào）极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-251-3L(IPAK)/-55~125

      描述：

      700V,1100mΩ,5A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET


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